Αριθμός εξαρτήματος :
TSM9ND50CI
Κατασκευαστής :
Taiwan Semiconductor Corporation
Περιγραφή :
500V 9A 0.9O SINGLE N-CHANNEL
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
500V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
9A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
900 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
24.5nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1116pF @ 50V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
50W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
ITO-220
Πακέτο / Θήκη :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab