ON Semiconductor - FQD7N20LTM

KEY Part #: K6392713

FQD7N20LTM Τιμολόγηση (USD) [238251τεμ]

  • 1 pcs$0.15602
  • 2,500 pcs$0.15525

Αριθμός εξαρτήματος:
FQD7N20LTM
Κατασκευαστής:
ON Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - JFET, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays and Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ON Semiconductor FQD7N20LTM. Το FQD7N20LTM μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το FQD7N20LTM, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQD7N20LTM Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : FQD7N20LTM
Κατασκευαστής : ON Semiconductor
Περιγραφή : MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Σειρά : QFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 200V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 5.5A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 2.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 9nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 500pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : D-Pak
Πακέτο / Θήκη : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει