Toshiba Semiconductor and Storage - TPCA8A01-H(TE12L,Q

KEY Part #: K6407744

[867τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    TPCA8A01-H(TE12L,Q
    Κατασκευαστής:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 30V 36A SOP8 ADV.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία and Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8A01-H(TE12L,Q. Το TPCA8A01-H(TE12L,Q μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το TPCA8A01-H(TE12L,Q, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TPCA8A01-H(TE12L,Q Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : TPCA8A01-H(TE12L,Q
    Κατασκευαστής : Toshiba Semiconductor and Storage
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 30V 36A SOP8 ADV
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 36A (Ta)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.6 mOhm @ 18A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 1mA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 35nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1970pF @ 10V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 1.6W (Ta), 45W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-SOP Advance (5x5)
    Πακέτο / Θήκη : 8-PowerVDFN

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • TPC6104(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • TPC6107(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • TPC6006-H(TE85L,F)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A.

    • FDD6782A

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 25V 20A DPAK.

    • FDD6796A

      ON Semiconductor

      MOSFET NCH 25V 20A DPAK.

    • FDD6778A

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 25V 12A DPAK.