Εάν η τοποθεσία σας δεν περιλαμβάνεται στη λίστα, επιλέξτε ένα από τα παρακάτω:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Εάν η τοποθεσία σας δεν περιλαμβάνεται στη λίστα, επιλέξτε ένα από τα παρακάτω:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Σπίτι
  2. Προϊόντα
  3. Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών
  4. Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος
  5. S12JR

GeneSiC Semiconductor - S12JR

KEY Part #: K6425087

S12JR Τιμολόγηση (USD) [22785τεμ]

  • 1 pcs$1.80876
  • 200 pcs$1.36048
Αριθμός εξαρτήματος:
S12JR
Κατασκευαστής:
GeneSiC Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4. Rectifiers 600V 12A REV Leads Std. Recovery
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Τρανζίστορ - JFET ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα GeneSiC Semiconductor S12JR. Το S12JR μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το S12JR, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S12JR Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : S12JR
Κατασκευαστής : GeneSiC Semiconductor
Περιγραφή : DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard, Reverse Polarity
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 600V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 12A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.1V @ 12A
Ταχύτητα : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 10µA @ 50V
Χωρητικότητα @ Vr, F : -
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis, Stud Mount
Πακέτο / Θήκη : DO-203AA, DO-4, Stud
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-4
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -65°C ~ 175°C
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • BAS40E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • BAS40E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A

  • LXA06B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr

  • QH05BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier

  • QH08BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier

  • VS-18TQ045SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 18A D2PAK.

Hot Parts