Αριθμός εξαρτήματος :
SPB08P06PGATMA1
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
8.8A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
300 mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
13nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
420pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
42W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
D²PAK (TO-263AB)
Πακέτο / Θήκη :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB