Taiwan Semiconductor Corporation - S2AA R3G

KEY Part #: K6445402

S2AA R3G Τιμολόγηση (USD) [1303251τεμ]

  • 1 pcs$0.02838

Αριθμός εξαρτήματος:
S2AA R3G
Κατασκευαστής:
Taiwan Semiconductor Corporation
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AC. Rectifiers 1.5A, 50V, GLASS PASSIVATED SMA RECTIFIER
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες and Θυρίστορες - TRIAC ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Taiwan Semiconductor Corporation S2AA R3G. Το S2AA R3G μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το S2AA R3G, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S2AA R3G Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : S2AA R3G
Κατασκευαστής : Taiwan Semiconductor Corporation
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AC
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 50V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 1.5A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.1V @ 1.5A
Ταχύτητα : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 1.5µs
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 5µA @ 50V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : DO-214AC, SMA
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-214AC (SMA)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 150°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • VS-80EPS08PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC.

  • VS-80EPF12PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.