Microsemi Corporation - APT31M100B2

KEY Part #: K6408975

APT31M100B2 Τιμολόγηση (USD) [441τεμ]

  • 30 pcs$8.28967

Αριθμός εξαρτήματος:
APT31M100B2
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Microsemi Corporation APT31M100B2. Το APT31M100B2 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το APT31M100B2, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT31M100B2 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : APT31M100B2
Κατασκευαστής : Microsemi Corporation
Περιγραφή : MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
Σειρά : POWER MOS 8™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 1000V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 32A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 8500pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 1040W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : T-MAX™ [B2]
Πακέτο / Θήκη : TO-247-3 Variant

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VN2222LLRLRA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92.

  • IXCY01N90E

    IXYS

    MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252.

  • FDD6N20TF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK.

  • FDD8444L

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 50A DPAK.

  • HUFA76609D3ST

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 10A DPAK.

  • FDD6N25TF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK.