Infineon Technologies - FF200R12KE3B2HOSA1

KEY Part #: K6534469

FF200R12KE3B2HOSA1 Τιμολόγηση (USD) [807τεμ]

  • 1 pcs$57.54841

Αριθμός εξαρτήματος:
FF200R12KE3B2HOSA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOD IGBT MED PWR 62MM-1.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies FF200R12KE3B2HOSA1. Το FF200R12KE3B2HOSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το FF200R12KE3B2HOSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF200R12KE3B2HOSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : FF200R12KE3B2HOSA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOD IGBT MED PWR 62MM-1
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος IGBT : -
Διαμόρφωση : Half Bridge
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) : 1200V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) : 295A
Ισχύς - Μέγ : 1050W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 200A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) : 5mA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce : 14nF @ 25V
Εισαγωγή : Standard
NTC Thermistor : No
Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 125°C
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη : Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Module

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NC60VD

    STMicroelectronics

    IGBT 50A 600V ISOTOP.