Vishay Siliconix - SI4836DY-T1-E3

KEY Part #: K6412619

[13383τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    SI4836DY-T1-E3
    Κατασκευαστής:
    Vishay Siliconix
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας and Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI4836DY-T1-E3. Το SI4836DY-T1-E3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI4836DY-T1-E3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4836DY-T1-E3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : SI4836DY-T1-E3
    Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
    Σειρά : TrenchFET®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 12V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 17A (Ta)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 25A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 400mV @ 250µA (Min)
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 75nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : ±8V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : -
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 1.6W (Ta)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-SO
    Πακέτο / Θήκη : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • IRFS7437-7PPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN.

    • AUIRLS3114Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK.

    • IRFR825PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

    • IRLR3714ZTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 37A DPAK.

    • IRLR4343

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.

    • IRLR4343TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.