1SS367,H3F Τιμολόγηση (USD) [2710765τεμ]
- 1 pcs$0.08701
- 10 pcs$0.08029
- 25 pcs$0.05774
- 100 pcs$0.04493
- 250 pcs$0.02822
- 500 pcs$0.02406
- 1,000 pcs$0.01636
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 1SS367,H3F
- Κατασκευαστής:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Λεπτομερής περιγραφή:
- DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC76. Schottky Diodes & Rectifiers Sml-Signal Schottky Barrier Diode
- Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
- Σε απόθεμα
- Διάρκεια ζωής:
- Ενας χρόνος
- Chip Από:
- Χονγκ Κονγκ
- RoHS:
- Μέθοδος πληρωμής:
-
- Τρόπος αποστολής:
- Κατηγορίες Οικογένειας:
- KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays ...
- Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
- Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Toshiba Semiconductor and Storage 1SS367,H3F. Το 1SS367,H3F μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το 1SS367,H3F, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
1SS367,H3F Χαρακτηριστικά προϊόντος
Αριθμός εξαρτήματος :
1SS367,H3F
Κατασκευαστής :
Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή :
DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC76
Σειρά :
-
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος διόδου :
Schottky
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
10V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
100mA
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
500mV @ 100mA
Ταχύτητα :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
-
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
20µA @ 10V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
40pF @ 0V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
SC-76, SOD-323
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
-
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
125°C (Max)
Τελευταία νέα
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
-
-
BAS16E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
-
-
CMDD6001 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
VS-5EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns
-
1N4150W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
Hot Parts
- IDT06S60CHKSA1
- GP10A-5016M3/54
- 1N4006GPE-M3/73
- D740N36TXPSA1
- UF4005 BK
- JANS1N6677UR-1
- BA157GP-M3/54
- GP02-40-M3/73
- 1N4004GPE-E3/93
- RU 4DS
- VS-MBRD330TRLPBF
- SK310B/TR13
- SB10-05A3-BT
- DLA11C-TR-E
- GPA804-BP
- 1N5401-AP
- SS32HE3/57T
- SS25HE3/52T
- SS320HE-TP
- RJU6053WDPP-M0#T2
- S3GHE3/57T
- RS3BHE3/9AT
- RGP5020-E3/54
- GPP15M-E3/54
- GI917-E3/54
- FGP30D-E3/73
- MBRD835L
- MR856
- MBRS3201T3
- SIDC53D120H6X1SA3
- VS-MUR1520PBF
- 80EPS08
- S3AB-13
- FR1J-LTP
- D255K06BXPSA1
- STPSC5H12D
- RGF1D-E3/67A
- RB068LAM150TR
- RF01VM2STE-17
- LS103A-GS18