Infineon Technologies - IPW60R199CPFKSA1

KEY Part #: K6417047

IPW60R199CPFKSA1 Τιμολόγηση (USD) [23982τεμ]

  • 1 pcs$1.71853

Αριθμός εξαρτήματος:
IPW60R199CPFKSA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 16A TO-247.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Δίοδοι - RF, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ and Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPW60R199CPFKSA1. Το IPW60R199CPFKSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPW60R199CPFKSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW60R199CPFKSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IPW60R199CPFKSA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
Σειρά : CoolMOS™
Κατάσταση εξαρτήματος : Not For New Designs
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 600V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 16A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 199 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 660µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1520pF @ 100V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 139W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO247-3
Πακέτο / Θήκη : TO-247-3

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.