Microsemi Corporation - APT10SCD65K

KEY Part #: K6444051

APT10SCD65K Τιμολόγηση (USD) [2581τεμ]

  • 1 pcs$2.60454
  • 10 pcs$2.32469
  • 25 pcs$2.09209
  • 100 pcs$1.90612

Αριθμός εξαρτήματος:
APT10SCD65K
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE SILICON 650V 17A TO220.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Θυρίστορ - SCRs, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Microsemi Corporation APT10SCD65K. Το APT10SCD65K μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το APT10SCD65K, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT10SCD65K Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : APT10SCD65K
Κατασκευαστής : Microsemi Corporation
Περιγραφή : DIODE SILICON 650V 17A TO220
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
Τύπος διόδου : Silicon Carbide Schottky
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 650V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 17A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.8V @ 10A
Ταχύτητα : No Recovery Time > 500mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 0ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 200µA @ 650V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 300pF @ 1V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο / Θήκη : TO-220-2
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-220 [K]
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 150°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • RJU60C2SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diode 600V TO-252 IF=8A

  • RJU60C3SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/30A/90ns Trr/TO-252

  • BAS16-D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3.

  • VS-50WQ06FNTRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ06FNTRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ06FNTRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.