Renesas Electronics America - HAT2172H-EL-E

KEY Part #: K6406715

[8642τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    HAT2172H-EL-E
    Κατασκευαστής:
    Renesas Electronics America
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Renesas Electronics America HAT2172H-EL-E. Το HAT2172H-EL-E μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το HAT2172H-EL-E, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HAT2172H-EL-E Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : HAT2172H-EL-E
    Κατασκευαστής : Renesas Electronics America
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Active
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 40V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 30A (Ta)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 7V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 15A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 32nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2420pF @ 10V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 20W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : LFPAK
    Πακέτο / Θήκη : SC-100, SOT-669

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • TK40P04M1(T6RSS-Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A.

    • TK40P03M1(T6RSS-Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A.

    • IRLR8256PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 81A DPAK.

    • IRLR8259PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 57A DPAK.

    • NDF08N50ZG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP.

    • NDF05N50ZG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V TO-220FP.