Αριθμός εξαρτήματος :
DMN2011UFX-7
Κατασκευαστής :
Diodes Incorporated
Περιγραφή :
MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος FET :
2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό :
Standard
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.5 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
56nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
2248pF @ 10V
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
4-VFDFN Exposed Pad
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
V-DFN2050-4