Vishay Siliconix - SI6926ADQ-T1-GE3

KEY Part #: K6524854

SI6926ADQ-T1-GE3 Τιμολόγηση (USD) [250794τεμ]

  • 1 pcs$0.14748
  • 3,000 pcs$0.12490

Αριθμός εξαρτήματος:
SI6926ADQ-T1-GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8-TSSOP.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI6926ADQ-T1-GE3. Το SI6926ADQ-T1-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI6926ADQ-T1-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI6926ADQ-T1-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SI6926ADQ-T1-GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : 2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό : Logic Level Gate
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 10.5nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : -
Ισχύς - Μέγ : 830mW
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-TSSOP

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει