Taiwan Semiconductor Corporation - TSM1N45DCS RLG

KEY Part #: K6401268

[8830τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    TSM1N45DCS RLG
    Κατασκευαστής:
    Taiwan Semiconductor Corporation
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - RF, Μονάδες οδηγού ισχύος, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Taiwan Semiconductor Corporation TSM1N45DCS RLG. Το TSM1N45DCS RLG μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το TSM1N45DCS RLG, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TSM1N45DCS RLG Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : TSM1N45DCS RLG
    Κατασκευαστής : Taiwan Semiconductor Corporation
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 450V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 500mA (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.25 Ohm @ 250mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.9V @ 250mA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 6.5nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±50V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 185pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 900mW (Ta)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-SOP
    Πακέτο / Θήκη : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • LND150N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

    • DN2530N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3.

    • AUIRLR024ZTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 55V 16A DPAK.

    • IRFIBC30GPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP.

    • SI1428EDH-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CHANNEL 30V 4A SC70-6.

    • TPC8048-H(TE12L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP.