EPC - EPC2031

KEY Part #: K6402017

EPC2031 Τιμολόγηση (USD) [23942τεμ]

  • 1 pcs$1.72137

Αριθμός εξαρτήματος:
EPC2031
Κατασκευαστής:
EPC
Λεπτομερής περιγραφή:
GANFET NCH 60V 31A DIE.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες and Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα EPC EPC2031. Το EPC2031 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το EPC2031, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2031 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : EPC2031
Κατασκευαστής : EPC
Περιγραφή : GANFET NCH 60V 31A DIE
Σειρά : eGaN®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : GaNFET (Gallium Nitride)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 31A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 mOhm @ 30A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 15mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 17nC @ 5V
Vgs (Max) : -
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 300V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : -
Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Die
Πακέτο / Θήκη : Die
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.