Αριθμός εξαρτήματος :
DMN2600UFB-7
Κατασκευαστής :
Diodes Incorporated
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
25V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
1.3A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
350 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
0.85nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
70.13pF @ 15V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
540mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
3-DFN1006 (1.0x0.6)