Αριθμός εξαρτήματος :
BSZ076N06NS3GATMA1
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Κατάσταση εξαρτήματος :
Not For New Designs
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
20A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 35µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
50nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
4000pF @ 30V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PG-TSDSON-8
Πακέτο / Θήκη :
8-PowerVDFN