Vishay Siliconix - SI2341DS-T1-GE3

KEY Part #: K6406179

[1408τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    SI2341DS-T1-GE3
    Κατασκευαστής:
    Vishay Siliconix
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI2341DS-T1-GE3. Το SI2341DS-T1-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI2341DS-T1-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI2341DS-T1-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : SI2341DS-T1-GE3
    Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
    Περιγραφή : MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
    Σειρά : TrenchFET®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : P-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 2.5A (Ta)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 72 mOhm @ 2.8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 15nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 15V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 710mW (Ta)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : SOT-23-3 (TO-236)
    Πακέτο / Θήκη : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • IXTY01N100D

      IXYS

      MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA.

    • AUIRLR3705Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • AUIRLR3410

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.

    • AUIRLR2905Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • AUIRLR2703

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 20A DPAK.

    • AUIRLR2905

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.