IXYS - IXFN21N100Q

KEY Part #: K6393641

IXFN21N100Q Τιμολόγηση (USD) [3716τεμ]

  • 1 pcs$12.30066
  • 10 pcs$12.23946

Αριθμός εξαρτήματος:
IXFN21N100Q
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Μονάδες οδηγού ισχύος, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXFN21N100Q. Το IXFN21N100Q μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXFN21N100Q, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN21N100Q Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXFN21N100Q
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
Σειρά : HiPerFET™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 1000V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 5900pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 520W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : SOT-227B
Πακέτο / Θήκη : SOT-227-4, miniBLOC

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VN2410L-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • TN0620N3-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3.

  • FDD4243

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK.

  • FCD5N60-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • IXTY02N50D

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK.

  • FDD4141

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK.