Αριθμός εξαρτήματος :
SI8416DB-T1-GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
Κατάσταση εξαρτήματος :
Obsolete
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
8V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
16A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
26nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1470pF @ 4V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
6-microfoot