Infineon Technologies - IRF7353D2TRPBF

KEY Part #: K6411580

[13741τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IRF7353D2TRPBF
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - JFET, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος and Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IRF7353D2TRPBF. Το IRF7353D2TRPBF μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IRF7353D2TRPBF, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7353D2TRPBF Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IRF7353D2TRPBF
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
    Σειρά : FETKY™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 6.5A (Ta)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 5.8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 33nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 650pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : Schottky Diode (Isolated)
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 2W (Ta)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-SO
    Πακέτο / Θήκη : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • ZVP2106ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 60V 0.28A TO92-3.

    • IRFR1205TRRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 44A DPAK.

    • IRFR120NPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.

    • IRFR1205PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 44A DPAK.

    • IRFR024NPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

    • IRLR8503TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 44A DPAK.