STMicroelectronics - STD11N50M2

KEY Part #: K6419445

STD11N50M2 Τιμολόγηση (USD) [112458τεμ]

  • 1 pcs$0.33054
  • 2,500 pcs$0.32890

Αριθμός εξαρτήματος:
STD11N50M2
Κατασκευαστής:
STMicroelectronics
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Δίοδοι - RF, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - JFET, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Θυρίστορες - TRIAC and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα STMicroelectronics STD11N50M2. Το STD11N50M2 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το STD11N50M2, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD11N50M2 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : STD11N50M2
Κατασκευαστής : STMicroelectronics
Περιγραφή : MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
Σειρά : MDmesh™ II Plus
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 500V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 530 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 395pF @ 100V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 85W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DPAK
Πακέτο / Θήκη : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει