Diodes Incorporated - DMG6601LVT-7

KEY Part #: K6522296

DMG6601LVT-7 Τιμολόγηση (USD) [953326τεμ]

  • 1 pcs$0.03880
  • 3,000 pcs$0.03524

Αριθμός εξαρτήματος:
DMG6601LVT-7
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία and Μονάδες οδηγού ισχύος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Diodes Incorporated DMG6601LVT-7. Το DMG6601LVT-7 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το DMG6601LVT-7, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG6601LVT-7 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : DMG6601LVT-7
Κατασκευαστής : Diodes Incorporated
Περιγραφή : MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N and P-Channel
FET χαρακτηριστικό : Logic Level Gate
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 3.8A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 12.3nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 422pF @ 15V
Ισχύς - Μέγ : 850mW
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TSOT-26

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • FDG6318PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6.

  • SI6975DQ-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP.

  • SI6975DQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP.

  • DMP2035UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP.

  • AO8810

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

  • AO8822

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.