Αριθμός εξαρτήματος :
DMG6601LVT-7
Κατασκευαστής :
Diodes Incorporated
Περιγραφή :
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος FET :
N and P-Channel
FET χαρακτηριστικό :
Logic Level Gate
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
3.8A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
12.3nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
422pF @ 15V
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TSOT-26