Αριθμός εξαρτήματος :
NTR4170NT1G
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
4.76nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
432pF @ 15V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
480mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
SOT-23-3 (TO-236)
Πακέτο / Θήκη :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3