Rohm Semiconductor - RQ3E100BNTB

KEY Part #: K6411692

RQ3E100BNTB Τιμολόγηση (USD) [871993τεμ]

  • 1 pcs$0.04689
  • 3,000 pcs$0.04666

Αριθμός εξαρτήματος:
RQ3E100BNTB
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Rohm Semiconductor RQ3E100BNTB. Το RQ3E100BNTB μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το RQ3E100BNTB, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RQ3E100BNTB Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : RQ3E100BNTB
Κατασκευαστής : Rohm Semiconductor
Περιγραφή : MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 15V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-HSMT (3.2x3)
Πακέτο / Θήκη : 8-PowerVDFN

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • ZVP2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 0.28A TO92-3.

  • 2N7000-D74Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • IRLR7843TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 161A DPAK.

  • IRFR4105ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

  • IRLR2705TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 28A DPAK.

  • FDN308P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3.