Diodes Incorporated - ZVN4306GTA

KEY Part #: K6416007

ZVN4306GTA Τιμολόγηση (USD) [141698τεμ]

  • 1 pcs$0.26234
  • 1,000 pcs$0.26103

Αριθμός εξαρτήματος:
ZVN4306GTA
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - RF, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Μονάδες οδηγού ισχύος and Θυρίστορ - SCRs ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Diodes Incorporated ZVN4306GTA. Το ZVN4306GTA μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το ZVN4306GTA, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZVN4306GTA Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : ZVN4306GTA
Κατασκευαστής : Diodes Incorporated
Περιγραφή : MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 2.1A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 330 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 3W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : SOT-223
Πακέτο / Θήκη : TO-261-4, TO-261AA

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • ZVNL110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • VN10LP

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • IRLR2905TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRLR2703TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

  • IRFR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRFR120NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.