IXYS - IXTA26P10T

KEY Part #: K6394875

IXTA26P10T Τιμολόγηση (USD) [37786τεμ]

  • 1 pcs$1.04228
  • 200 pcs$1.03710

Αριθμός εξαρτήματος:
IXTA26P10T
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET P-CH 100V 26A TO-263.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ and Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXTA26P10T. Το IXTA26P10T μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXTA26P10T, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA26P10T Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXTA26P10T
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET P-CH 100V 26A TO-263
Σειρά : TrenchP™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : P-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 26A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 52nC @ 10V
Vgs (Max) : ±15V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 3820pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 150W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-263 (IXTA)
Πακέτο / Θήκη : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB