Texas Instruments - CSD13202Q2

KEY Part #: K6418669

CSD13202Q2 Τιμολόγηση (USD) [483064τεμ]

  • 1 pcs$0.07657
  • 3,000 pcs$0.06811

Αριθμός εξαρτήματος:
CSD13202Q2
Κατασκευαστής:
Texas Instruments
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 12V 76A 6SON.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Texas Instruments CSD13202Q2. Το CSD13202Q2 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το CSD13202Q2, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD13202Q2 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : CSD13202Q2
Κατασκευαστής : Texas Instruments
Περιγραφή : MOSFET N-CH 12V 76A 6SON
Σειρά : NexFET™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 12V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 22A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.3 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 6.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 997pF @ 6V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 2.7W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 6-WSON (2x2)
Πακέτο / Θήκη : 6-VDFN Exposed Pad

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • IXTY15N20T

    IXYS

    MOSFET N-CH 200V 15A TO-252.

  • TK7A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS.

  • IPA65R380C6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220.

  • IRFIB41N15DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP.