Αριθμός εξαρτήματος :
BSC123N10LSGATMA1
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
10.6A (Ta), 71A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 72µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
68nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
4900pF @ 50V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
114W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PG-TDSON-8
Πακέτο / Θήκη :
8-PowerTDFN