Nexperia USA Inc. - PSMN7R6-100BSEJ

KEY Part #: K6418520

PSMN7R6-100BSEJ Τιμολόγηση (USD) [67261τεμ]

  • 1 pcs$0.58133
  • 800 pcs$0.51593

Αριθμός εξαρτήματος:
PSMN7R6-100BSEJ
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V D2PAK.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Μονάδες οδηγού ισχύος and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Nexperia USA Inc. PSMN7R6-100BSEJ. Το PSMN7R6-100BSEJ μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το PSMN7R6-100BSEJ, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN7R6-100BSEJ Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : PSMN7R6-100BSEJ
Κατασκευαστής : Nexperia USA Inc.
Περιγραφή : MOSFET N-CH 100V D2PAK
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 75A (Tj)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 128nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 7110pF @ 50V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 296W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : D2PAK
Πακέτο / Θήκη : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.

  • TK6A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS.