Vishay Siliconix - SIHF35N60EF-GE3

KEY Part #: K6397637

SIHF35N60EF-GE3 Τιμολόγηση (USD) [12970τεμ]

  • 1 pcs$3.17745

Αριθμός εξαρτήματος:
SIHF35N60EF-GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH TO-220 FULLPAK.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - JFET and Θυρίστορες - TRIAC ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SIHF35N60EF-GE3. Το SIHF35N60EF-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SIHF35N60EF-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHF35N60EF-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SIHF35N60EF-GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET N-CH TO-220 FULLPAK
Σειρά : EF
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 600V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 32A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 97 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 134nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2568pF @ 100V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 39W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-220 Full Pack
Πακέτο / Θήκη : TO-220-3 Full Pack

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.