Αριθμός εξαρτήματος :
SISS71DN-T1-GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
23A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
59 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
15nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1050pF @ 50V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
57W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Πακέτο / Θήκη :
8-PowerVDFN