ON Semiconductor - FDMB3800N

KEY Part #: K6524933

FDMB3800N Τιμολόγηση (USD) [244308τεμ]

  • 1 pcs$0.15215
  • 3,000 pcs$0.15140

Αριθμός εξαρτήματος:
FDMB3800N
Κατασκευαστής:
ON Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ON Semiconductor FDMB3800N. Το FDMB3800N μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το FDMB3800N, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMB3800N Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : FDMB3800N
Κατασκευαστής : ON Semiconductor
Περιγραφή : MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET
Σειρά : PowerTrench®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : 2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό : Logic Level Gate
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 5.6nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 465pF @ 15V
Ισχύς - Μέγ : 750mW
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : 8-PowerWDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-MLP, MicroFET (3x1.9)