Αριθμός εξαρτήματος :
IPB072N15N3GATMA1
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
150V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 270µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
93nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
5470pF @ 75V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
300W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PG-TO263-3-2
Πακέτο / Θήκη :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB