GeneSiC Semiconductor - S25B

KEY Part #: K6425051

S25B Τιμολόγηση (USD) [18671τεμ]

  • 1 pcs$2.20729
  • 200 pcs$1.86828

Αριθμός εξαρτήματος:
S25B
Κατασκευαστής:
GeneSiC Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 100V 25A DO203AA. Rectifiers 100V 25A Std. Recovery
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC and Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα GeneSiC Semiconductor S25B. Το S25B μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το S25B, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S25B Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : S25B
Κατασκευαστής : GeneSiC Semiconductor
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 100V 25A DO203AA
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 100V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 25A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.1V @ 25A
Ταχύτητα : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 10µA @ 50V
Χωρητικότητα @ Vr, F : -
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis, Stud Mount
Πακέτο / Θήκη : DO-203AA, DO-4, Stud
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : -
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -65°C ~ 175°C
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • FGD5T120SH

    ON Semiconductor

    IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.

  • FGD3N60UNDF

    ON Semiconductor

    IGBT 600V 6A 60W DPAK.

  • BAS40E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • LXA06B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr

  • QH05BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier

  • QH08BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier