Infineon Technologies - BSP135L6327HTSA1

KEY Part #: K6409976

[96τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    BSP135L6327HTSA1
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Θυρίστορες - TRIAC, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία and Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies BSP135L6327HTSA1. Το BSP135L6327HTSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BSP135L6327HTSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSP135L6327HTSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : BSP135L6327HTSA1
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
    Σειρά : SIPMOS®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 600V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 120mA (Ta)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 0V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 Ohm @ 120mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 94µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 4.9nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 146pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : Depletion Mode
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 1.8W (Ta)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-SOT223-4
    Πακέτο / Θήκη : TO-261-4, TO-261AA

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • FDD6670AS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 30V 76A DPAK.

    • FDD8586

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FDD8580

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FCD4N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.

    • 2SK2231(TE16R1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD.

    • BSS84P E6433

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23.