Diodes Incorporated - DMN3009LFV-7

KEY Part #: K6402106

DMN3009LFV-7 Τιμολόγηση (USD) [463137τεμ]

  • 1 pcs$0.07986

Αριθμός εξαρτήματος:
DMN3009LFV-7
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Μονάδες οδηγού ισχύος, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Diodes Incorporated DMN3009LFV-7. Το DMN3009LFV-7 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το DMN3009LFV-7, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3009LFV-7 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : DMN3009LFV-7
Κατασκευαστής : Diodes Incorporated
Περιγραφή : MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 15V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PowerDI3333-8
Πακέτο / Θήκη : 8-PowerVDFN

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVP2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.