Infineon Technologies - BSZ086P03NS3GATMA1

KEY Part #: K6417276

BSZ086P03NS3GATMA1 Τιμολόγηση (USD) [296365τεμ]

  • 1 pcs$0.12480

Αριθμός εξαρτήματος:
BSZ086P03NS3GATMA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία and Δίοδοι - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies BSZ086P03NS3GATMA1. Το BSZ086P03NS3GATMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BSZ086P03NS3GATMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ086P03NS3GATMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : BSZ086P03NS3GATMA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
Σειρά : OptiMOS™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : P-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.1V @ 105µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 57.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 4785pF @ 15V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TSDSON-8
Πακέτο / Θήκη : 8-PowerTDFN

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • ZVP2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3.

  • AUIRLS3034-7TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 380A D2PAK-7P.

  • AUIRFS3004TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 340A D2PAK.

  • FDD8447L

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK.

  • FQD10N20CTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK.

  • IRLR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.