Vishay Semiconductor Diodes Division - G2SB60L-5751E3/45

KEY Part #: K6541724

[12281τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    G2SB60L-5751E3/45
    Κατασκευαστής:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Λεπτομερής περιγραφή:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία and Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division G2SB60L-5751E3/45. Το G2SB60L-5751E3/45 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το G2SB60L-5751E3/45, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    G2SB60L-5751E3/45 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : G2SB60L-5751E3/45
    Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Περιγραφή : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος διόδου : Single Phase
    Τεχνολογία : Standard
    Τάση - Αντίστροφη αιχμή (Max) : 600V
    Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 1.5A
    Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1V @ 750mA
    Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 5µA @ 600V
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο / Θήκη : 4-SIP, GBL
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : GBL

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • DBA250G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A.

    • DBG250G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.6A.

    • TB2S-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1P 200V 800MA 4TBS. Bridge Rectifiers VR=200V IF(AV)=1A

    • GBJ2010-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ.

    • GBJ20005-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1PHASE 50V 20A GBJ.

    • GBJ2004-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1PHASE 400V 20A GBJ.