Vishay Semiconductor Diodes Division - G3SBA60L-5702M3/45

KEY Part #: K6541167

[12466τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    G3SBA60L-5702M3/45
    Κατασκευαστής:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Λεπτομερής περιγραφή:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Μονάδες οδηγού ισχύος, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - JFET, Δίοδοι - RF and Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division G3SBA60L-5702M3/45. Το G3SBA60L-5702M3/45 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το G3SBA60L-5702M3/45, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    G3SBA60L-5702M3/45 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : G3SBA60L-5702M3/45
    Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Περιγραφή : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος διόδου : Single Phase
    Τεχνολογία : Standard
    Τάση - Αντίστροφη αιχμή (Max) : 600V
    Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 2.3A
    Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1V @ 2A
    Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 5µA @ 600V
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο / Θήκη : 4-SIP, GBU
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : GBU

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • KBP408G-BP

      Micro Commercial Co

      BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBP. Bridge Rectifiers 4A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

    • DB107-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB. Bridge Rectifiers VR=1000V, IO=1A

    • DF204S-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A DFS. Bridge Rectifiers DFS GPP 2A 400V Rect. Bridge Diode

    • DBL157G C1G

      Taiwan Semiconductor Corporation

      BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DBL. Bridge Rectifiers 1.5A,1000V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.

    • DBL101G C1G

      Taiwan Semiconductor Corporation

      BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DBL. Bridge Rectifiers 1A,50V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.

    • DBL208GHC1G

      Taiwan Semiconductor Corporation

      BRIDGE RECT 1PHASE 1.2KV 2A DBL. Bridge Rectifiers 2A,1200V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.