Toshiba Semiconductor and Storage - TK12Q60W,S1VQ

KEY Part #: K6404166

[2105τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    TK12Q60W,S1VQ
    Κατασκευαστής:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays and Θυρίστορ - SCR - Μονάδες ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Toshiba Semiconductor and Storage TK12Q60W,S1VQ. Το TK12Q60W,S1VQ μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το TK12Q60W,S1VQ, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TK12Q60W,S1VQ Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : TK12Q60W,S1VQ
    Κατασκευαστής : Toshiba Semiconductor and Storage
    Περιγραφή : MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
    Σειρά : DTMOSIV
    Κατάσταση εξαρτήματος : Active
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 600V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 11.5A (Ta)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 340 mOhm @ 5.8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 600µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 25nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 890pF @ 300V
    FET χαρακτηριστικό : Super Junction
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 100W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : I-PAK
    Πακέτο / Θήκη : TO-251-3 Stub Leads, IPak

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • NP90N03VHG-E1-AY

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 30V 90A TO-252.

    • NP60N055VUK-E1-AY

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 55V 60A TO-252.

    • NP60N04VUK-E1-AY

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 40V 60A TO-252.

    • AUIRLR024Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 55V 16A DPAK.

    • AUIRFR4292

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.

    • TK16A60W5,S4VX

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.