Αριθμός εξαρτήματος :
FQA7N80C-F109
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
800V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
7A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
35nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1680pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
198W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-3PN
Πακέτο / Θήκη :
TO-3P-3, SC-65-3