STMicroelectronics - STP26NM60ND

KEY Part #: K6414253

[12818τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    STP26NM60ND
    Κατασκευαστής:
    STMicroelectronics
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 600V 21A TO220.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Μονάδες οδηγού ισχύος, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα STMicroelectronics STP26NM60ND. Το STP26NM60ND μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το STP26NM60ND, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STP26NM60ND Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : STP26NM60ND
    Κατασκευαστής : STMicroelectronics
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 600V 21A TO220
    Σειρά : FDmesh™ II
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 600V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 175 mOhm @ 10.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 54.6nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±25V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1817pF @ 100V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 190W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-220
    Πακέτο / Θήκη : TO-220-3

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • IRFR9120NTRR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK.

    • IRFR9120NTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK.

    • IRFR9024NTRR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 11A DPAK.

    • IRFR9024NTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 11A DPAK.

    • IRFR9014N

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK.

    • IRFR6215TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.