ON Semiconductor - FDS2670

KEY Part #: K6409594

FDS2670 Τιμολόγηση (USD) [117730τεμ]

  • 1 pcs$0.33940
  • 2,500 pcs$0.33771

Αριθμός εξαρτήματος:
FDS2670
Κατασκευαστής:
ON Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας and Θυρίστορες - TRIAC ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ON Semiconductor FDS2670. Το FDS2670 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το FDS2670, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDS2670 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : FDS2670
Κατασκευαστής : ON Semiconductor
Περιγραφή : MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO
Σειρά : PowerTrench®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 200V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 3A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1228pF @ 100V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 2.5W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-SOIC
Πακέτο / Θήκη : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)