Αριθμός εξαρτήματος :
IPT60R050G7XTMA1
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
650V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
44A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 800µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
68nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
2670pF @ 400V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
245W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PG-HSOF-8-2
Πακέτο / Θήκη :
8-PowerSFN