Vishay Semiconductor Diodes Division - NSB8MTHE3/81

KEY Part #: K6447134

[1527τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    NSB8MTHE3/81
    Κατασκευαστής:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Λεπτομερής περιγραφή:
    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division NSB8MTHE3/81. Το NSB8MTHE3/81 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το NSB8MTHE3/81, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NSB8MTHE3/81 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : NSB8MTHE3/81
    Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Περιγραφή : DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Discontinued at Digi-Key
    Τύπος διόδου : Standard
    Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 1000V
    Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 8A
    Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.1V @ 8A
    Ταχύτητα : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -
    Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 10µA @ 1000V
    Χωρητικότητα @ Vr, F : 55pF @ 4V, 1MHz
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο / Θήκη : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-263AB
    Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 150°C

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • DGS13-025CS

      IXYS

      DIODE SCHOTTKY 250V 21A TO252AA.

    • MA3X0280BL

      Panasonic Electronic Components

      DIODE GEN PURP 6V 150MA MINI3.

    • CSD10060G

      Cree/Wolfspeed

      DIODE SCHOTTKY 600V 16.5A TO263.

    • VS-8EWX06FN-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers 8A 600V 15ns Hyperfast

    • NSB8MTHE3/81

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB.

    • NSB8KTHE3/81

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB.