Αριθμός εξαρτήματος :
IRF640STRRPBF
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
200V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
18A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
70nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1300pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
3.1W (Ta), 130W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-263 (D²Pak)
Πακέτο / Θήκη :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB