Vishay Siliconix - SIR800ADP-T1-GE3

KEY Part #: K6396531

SIR800ADP-T1-GE3 Τιμολόγηση (USD) [118007τεμ]

  • 1 pcs$0.31343

Αριθμός εξαρτήματος:
SIR800ADP-T1-GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 20V PPAK SO-8.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - RF, Θυρίστορες - TRIAC, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF and Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SIR800ADP-T1-GE3. Το SIR800ADP-T1-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SIR800ADP-T1-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR800ADP-T1-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SIR800ADP-T1-GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET N-CH 20V PPAK SO-8
Σειρά : TrenchFET® Gen IV
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 50.2A (Ta), 177A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.35 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 53nC @ 10V
Vgs (Max) : +12V, -8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 3415pF @ 10V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PowerPAK® SO-8
Πακέτο / Θήκη : PowerPAK® SO-8

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • SI2316DS-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.